内存延迟高会怎么样，为什么内存的频率越大延迟就越高

来源：整理时间：2024-09-04 23:20:00 编辑：本来科技手机版

本文目录一览

1，为什么内存的频率越大延迟就越高
2，电脑ddr输入延迟时间有什么意义一般设置成多少合适内存时钟是什
3，内存的延迟
4，内存占用过高对电脑有什么危害
5，物理内存占用率越高机子越慢硬件越容易坏吗耗更多的电
6，内存的延迟是什么意思
7，内存延迟时间的问题

1，为什么内存的频率越大延迟就越高

延迟是网络问题内存没关系

不要混淆，显存叫gddr5。内存叫ddr3 gddr5一个周期内可以传输四次数据（上行和下行各两次）ddr3只能两次。还有延迟的话得看内存颗粒的时序以及具体的频率然后才可以算出来，并没有频率越高延迟越大这种说法。

为什么内存的频率越大延迟就越高

2，电脑ddr输入延迟时间有什么意义一般设置成多少合适内存时钟是什

内存延时和内存时钟是同一个概念，这个不用你设置，内存本身就设置好的。内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存响应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。第一个数字最为重要，表示注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟（CAS Latency），即CL值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。第二个数字表示内存行地址控制器预充电时间（RAS Precharge），即tRP。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。第三个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间（RAS to CAS Delay），即tRCD。第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-Precharge Precharge Delay（tRAS）

电脑ddr输入延迟时间有什么意义一般设置成多少合适内存时钟是什

3，内存的延迟

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存响应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR400内存频率为400，则可计算出其时钟周期为6ns）。我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。

内存延迟实际上指的是系统需要等待多长时间，内存才能做好发送或接收数据的准备。处理器等待的时间越短，整机的性能就越高。这个准则在intel以及amd的平台上都适用，同时现在也没有比2-2-2-5更低的内存延迟，内存标准组织jedec认为以目前的动态内存技术还无法实现0或1的延迟。内存延迟最直接的表现就是4个连着的数字（比如2-2-2-5），其中：第一个数字“2”表示cas延迟，这也是最重要的一个参数；第二个数字“2”表示ras-cas延迟，第三个数字“2”表示ras预充电时间（ras precharge）；第四个数字“5”表示act-to-precharge延迟，通常是最后也是最大的一个数字。

内存的延迟

4，内存占用过高对电脑有什么危害

内存占用过高会使电脑卡顿，运行不流畅。导致内存占用过高的原因有以下几种：1、防杀毒软件造成故障。由于新版的KV、金山、瑞星都加入了对网页、插件、邮件的随机监控，无疑增大了系统负担。处理方式：基本上没有合理的处理方式，尽量使用最少的监控服务吧，或者，升级你的硬件配备。 2、驱动没有经过认证，造成CPU资源占用100%。大量的测试版的驱动在网上泛滥，造成了难以发现的故障原因。处理方式：尤其是显卡驱动特别要注意，建议使用微软认证的或由官方发布的驱动，并且严格核对型号、版本。 3、病毒、木马造成。大量的蠕虫病毒在系统内部迅速复制，造成CPU占用资源率据高不下。解决办法：用可靠的杀毒软件彻底清理系统内存和本地硬盘，并且打开系统设置软件，察看有无异常启动的程序。经常性更新升级杀毒软件和防火墙，加强防毒意识，掌握正确的防杀毒知识4、系统服务。控制面板—管理工具—服务—RISING REALTIME MONITOR SERVICE点鼠标右键，改为手动5、启动项。开始->；运行->；msconfig->；启动，关闭不必要的启动项，重启。

内存占用过高电脑运行速度会变慢容易卡死需要缓存的网页或者游戏也会卡尽量定期清理满意请采纳

开机把BOIS里面重新设置成出厂默认值，然后把电脑里面C盘重要的文件你都放在D盘去，桌面上的重要文件也放进D盘去。不用重新分区，然后开始重新做系统吧，系统默认是做在C盘里的，系统做完啥也别干直接安装杀毒软件，装到默认的路径C盘里面去，然后把杀毒软件升级到最新版本，开始全盘扫描，这段时间千万不要打开其他盘，以免有很厉害的病毒感染系统而导致你的系统白安装了。杀毒完毕，你开始优化系统吧，最好用360安全卫士优化，相信你的电脑会很正常的工作。我做系统很多很多了，对付怪现象就用这个流程的。

5，物理内存占用率越高机子越慢硬件越容易坏吗耗更多的电

物理内存占用率高的情况下系统会自动调去硬盘上的虚拟内存作为补充，加大数据的读写量。可能会对硬盘造成影响；占用率高机器慢是肯定的，占用率高说明你的机器在进行大功率运算，能不慢么。如果运行时间不长的话硬件应该都在额定功率下工作，不会耗更多，不过长时间运行而且占用率高的话可能就会造成功耗上升

内存占用率高，会导致系统反应变迟钝，使用效率降低，但是与耗电量、硬件损坏并无直接联系。不过从另一个角度上说，由于内存占用率过高，系统需要频繁写入和读取在硬盘上的虚拟内存中的数据，这样会导致硬盘的读写量大量增加，会影响到硬盘的使用寿命，并且硬盘长时间满负荷运转，也会使功耗上升。从这个角度上说，也说得通。

只有在内存中的数据，CPU才能直接访问，所以在内存占用率高的情况下，数据需要频繁在硬盘和内存之间交换因为磁盘的IO是很慢的，所以机子运行速度会受影响

耗电不是这样算的,物理内存占用率高机子慢点很正常.但目前主流配置双核2G内存,内存足够用.不存在你说的占用率高,如果真的很高,建议你换一个系统

你要看你电脑是突然这样的还是经常这样建议先杀毒，用病毒专杀工具像360的急救箱和金山的急救箱都可以。还带系统修复功能如果杀毒之后问题没有解决就看你硬件配置来了比方说你电脑配置不是很高，却经常操作某些高于它要求的事情，比如说玩大型游戏，图形图像设计编程等等，看高清，多开很多应用程序。这样就属于你硬件配置不高，负荷过重造成的。这属于是物理问题，要改善的话，根据自己的实际要求升级一下电脑的硬件配置也可以，比如说升级内存什么的。最后无论你输入那类问题，建议适当的优化下系统。

内存占用率过90%才会影响到你的速度！跟硬件的损坏和耗电关系不大，不过有点关系，你处理东西多，使用率才会上去，各硬件CPU,显卡等负载高，会多用点电

6，内存的延迟是什么意思

内存延迟内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。如图所示，我们可以看到Crucial DDR333内存的延迟图表。通过这张图表，我们可以看出延迟数字所表示的含义。以最上面的CL=2的内存为例，图中分别有CAS2，CAS2.5以及CAS3三种延时。注意垂直的虚线，它表示的是时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款DDR内存，因此，一个时钟周期内含有两个点。 CAS latency是注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟。CAS latency的单位是时钟周期。一块延迟设置为2-2-2-5的DDR内存，其性能要高出延迟为3-4-4-8的DIMM。这是因为前者接收到一条指令，找回数据以及送回数据的延迟要比后者要短。体现在BIOS设置里，还有很多相关的选项：在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到： SDRAM Frequency Configure SDRAM Timing by SPD SDRAM CAS# Latency 简称CL SDRAM RAS# Precharge 简称TRP SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称TRCD SDRAM Precharge Delay 简称TRAS SDRAM Burst Length 简称BL 具体在选项的描述上可能有差异，更多详细请参考附录1。其实内存延迟的调节一定意义上也是超频的一种手段，但是它是在最低危险程度下根据内存的自身条件做出的调节，也就是说，在内存的反应程度上调节内存的工作的状态，叫它少休息，多工作，所以长期调整内存延迟对内存本身还有一定伤害的。事先声明，并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数成为了我们至关重要的一个环节。 http://www.hilon.com.cn/autobak/a88100026953.htm 参考资料：海龙资讯

7，内存延迟时间的问题

内存延迟是指等待对系统内存中存储数据的访问完成时引起的延期。根本问题在于处理器（如英特尔?至强TM处理器）的主频接近4 GHz，而内存芯片速率仅为400 MHz （如DDR 3200内存） —时钟速度之比为10:1。因此，当处理器需要处于内存高速缓存之外的数据项时，每个周期必须等待10个时钟周期才能使内存芯片完成数据的提取和发送。通常，这些提取需要检索多个内存周期，然后需要更长时间通过到处理器的路径。这就意味着提取数据会占用数百个处理器时钟周期，在此期间应用不能处理其它任何任务。

内存延迟是指等待对系统内存中存储数据的访问完成时引起的延期。根本问题在于处理器的主频接近4 ghz，而内存芯片速率仅为400 mhz ，如ddr 3200内存。—时钟速度之比为10:1。因此，当处理器需要处于内存高速缓存之外的数据时，每个周期必须等待10个时钟周期才能使内存芯片完成数据的提取和发送。通常，这些提取需要检索多个内存周期，然后需要更长时间通过到处理器的路径。这就意味着提取数据会占用数百个处理器时钟周期，在此期间应用不能处理其它任何任务。　内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存响应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为cl-trp-trcd-tras这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。　　第一个数字最为重要，表示注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟（cas latency），即cl值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。　　第二个数字表示内存行地址控制器预充电时间（ras precharge），即trp。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。　　第三个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间（ras to cas delay），即trcd。　　第四个数字表示内存行地址控制器激活时间act-to-precharge precharge delay（tras），　　内存延迟时间有个专门的术语叫“latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个excel表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个ras信号（row address strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来cas信号（column address strobe，列地址信号）被激活。在ras信号和cas信号之间的几个执行周期就是ras-to-cas延迟时间。在cas信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准pc133的sdram大约是2到3个周期，而ddr ram则是4到5个周期。在ddr中，真正的cas延迟时间则是2到2.5个执行周期。ras-to-cas的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。　　cl设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×cl模式数+存取时间（tac）。首先来了解一下存取时间（tac）的概念，tac是access time from clk的缩写，是指最大cas延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tac）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。　　举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条ddr333内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns（ddr内存时钟周期＝1x2/内存频率，ddr400内存频率为400，则可计算出其时钟周期为6ns）。我们在主板的bios中将其cl设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns x2.5＋6ns＝21ns，而如果cl设置为2，那么总的延迟时间＝6ns x2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。　　从总的延迟时间来看，cl值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买cl值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高ddr的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低cas延迟时间来提高内存性能。　　不过，并不是说cl值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以ras-to-cas的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，cas延迟时间只会发生一次。　　选择购买内存时，最好选择同样cl设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当cl2.5和cl2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在cl2.5状态，造成资源浪费。